山下 暉夫 | 松下電器電機技術研究所

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• 山下 暉夫

  松下電器電機技術研究所

• 山内 一郎

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• 山田 正

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• 都崎 武洋

  松下電器電機技術研究所

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著作論文

• 感圧負性抵抗素子 : 半導体(Device(応力効果, その他)
• nin負性抵抗素子 : 半導体(ダイオード)
• Al-TiD_2-Siダイオードの負性抵抗特性 : 表面物理, 薄膜
• 電荷貯蔵効果を示す混合層表面の研究 : 応用半導体
• 7a-G-12 蒸着GaAs薄膜の電流飽和現象
• 焼成EL(PbOの効果) : 光物性・イオン結晶
• ZnO混合分散形ELの発光特性 : イオン結晶光物性 : ESR,螢光体
• 深い準位の不純物を含む半導体表面障壁の応力効果 : 半導体 (圧力効果, 電子顕微鏡による観察)
• 表面障壁における深い不純物の圧力効果 : 半導体 (圧力効果, 電子顕微鏡による観察)

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