長谷部 光弘 | 九州工業大学工学部
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概要
九州工業大学工学部 | 論文
- 昇温脱離法と等温脱離法を用いたSi(100)表面からの水素脱離バリヤー評価
- BZ反応における流体力学的不安定性とBig Waveの層厚依存性(レオロジー、破壊、地震、他,複合系II要素と全体-現象論の視座-,研究会報告)
- 31a-S-8 酸素原子と吸着水素の反応
- 31a-S-7 水素原子によるシリコン表面吸着水素抜き取り反応、キネティクスI
- 27pPSA-41 水素終端Si(100)表面における気相窒素原子誘起の水素脱離反応(領域9ポスターセッション)(領域9)