小松 優 | 金沢工大 工

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概要

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金沢工大 工 | 論文

• 28a-S-3 電界蒸発の閾値に及ぼすSTM短針先端の幾何学的形状の効果
• 12p-DH-7 Si(001)2×1表面上の欠陥周辺からの異方的な電界蒸発
• 30p-H-2 STMにおけるSi(001)2×1表面からの電界蒸発
• 原子単位での加工とその機構(「超」を実現するテクノロジー)
• 走査トンネル顕微鏡における探針と Si 表面との相互作用およびその原子操作への応用

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