永田 康 | 東理大 理学部 応物

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著作論文

• 多結晶Siへの不純物拡散 I. n型不純物と粒界準位とのCompensation : 半導体 (拡散・インプランテーション)
• Si多結晶の電気的性質IV : 表面準位と不純物の影響 : 半導体 : 結晶成長
• Si多結晶の電気的性質 : III. 交流的性質及び光電気伝導 : 半導体 : 輸送
• Si多結晶の電気的性質 : II. 直流的性質 : 半導体 : 輸送
• Si多結晶の電気的性質 : I. 構造と熱処理による変化 : 半導体 : 輸送
• 延伸された高分子の核磁気共鳴吸収 : 高分子

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