桑原 英治 | 岡山大理 Cresta

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• 久保園 芳博

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著作論文

• 26pYK-2 種々のゲート絶縁膜上に形成したフラーレンFETデバイスの特性(FET,領域7(分子性固体・有機導体))
• 13pWH-9 両極性ならびに高キャリア注入フラーレン FET の特性(FET, 領域 8)
• 13pWH-9 両極性ならびに高キャリア注入フラーレン FET の特性(FET, 領域 7)
• 28aWN-5 Eu@C_およびC_の電子特性および結晶構造(フラーレン固体物性)(領域7)
• 27aZP-5 強誘電性および高分子絶縁膜を用いたC_およびC_FETの作製とその特性(領域7,領域8合同 : 分子デバイスI)(領域7)
• 27aZP-5 強誘電性および高分子絶縁膜を用いたC_およびC_FETの作製とその特性(領域7,領域8合同 分子デバイスI)(領域8)

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