春山 潤 | 東理大理
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概要
関連著者
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渡辺 一之
東理大理
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春山 潤
東理大理
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胡 春平
物材機構MANA
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胡 春平
東理大理
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小鍋 哲
東理大理
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田口 恵太
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鈴木 隆広
室蘭工業大学
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鈴木 隆広
東理大理
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石見 洋平
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鈴木 隆弘
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打木 大介
東理大理
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後藤 広志
東理大理
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岡本 裕司
(株)デンソー基礎研
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奥野 英一
(株)デンソー基礎研
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坪野谷 啓介
東理大理
著作論文
- 20pGL-10 レーザー照射によるナノ構造の選択的分解・脱離の第一原理シミュレーション(20pGL 表面ダイナミクス・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pPSB-31 TDDFT-MD法によるレーザー照射下のナノ構造ダイナミクス(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSB-37 時間依存密度汎関数法による分子解離ダイナミクス(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aPS-18 時間依存密度汎関数法を用いた断熱ポテンシャル面上の力計算(28aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 27pPSA-51 イオン照射されたグラフェンの電子励起ダイナミクス(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-62 高強度レーザー照射されたビフェニルのねじれ運動(22pPSA 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 26pCK-12 時間依存密度汎関数法によるレーザー刺激電界電子放出のシミュレーション(26pCK ナノチューブ・ナノワイヤ・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pPSB-5 時間依存密度汎関数法を用いたスチルベン分子光異性化過程解析(25pPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 18aFE-4 時間依存密度汎関数法による窒化ホウ素ナノ構造の誘電関数の計算(18aFE 表面界面電子物性・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19aPSB-18 Boltzmann方程式を用いたレーザー照射下キャリアダイナミクスのシミュレーション(19aPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 27aXK-2 グラフェンの電子回折と透過 : 時間依存密度汎関数法シミュレーション(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))