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田沼 順一 | 新潟大学大学院口腔病理学分野
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3p-L-2 Ge Molten Diffusedトランジスタ
11a-M-9 インジウム薄層を合金したゲルマニウムpn接合の逆特性
トランジスタのFloating Potential : XX. 半導体
接合型トランジスタの直流特性 : XX. 半導体
20L-14 p-n接合周辺部の効果
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