岡田 篤正 | 立命館大学COE推進機構

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概要

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立命館大学COE推進機構 | 論文

• 原子状水素照射によるInNの極性評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• RF-MBE成長したInN薄膜に対する熱酸化処理の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 26aB06 RF-MBE法による高In組成InGaN成長におけるInNテンプレートの効果(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
• ECR-MBE法による加工基板上InNナノドットの配列・サイズ制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ECR-MBE法による加工基板上InNナノドットの配列・サイズ制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)

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