多胡 香奈子 | 国立研究開発法人農業・食品産業技術総合研究機構農業環境変動研究センター
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概要
論文 | ランダム
- アモルファスSiバッファ層を用いたサファイア基板上へのSiヘテロエピタキシャル成長とその特性
- TMIを用いたInPのMOCVD成長 : エピタキシー
- ミスオリエンテーション基板上へのGaP液相成長表面波模様と非発光領域
- GaP液相エピキシャル成長時におけるマクロステップの振舞 : エピタキシー
- 20aGH-7 Sr_Tb_XFe_2As_2の試料作成と単結晶育成(20aGH FeAs系超伝導(輸送特性など),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))