山田 俊介 | 筑波大計科セ
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概要
筑波大計科セ | 論文
- 23pGL-2 数nm直径Siナノワイヤに対する大規模第一原理電子状態計算(23pGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pGP-2 微傾斜SiC(0001)表面上グラフェンの安定構造と電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aHQ-12 第一原理電子ダイナミクス計算によるコヒーレントフォノン生成機構の解明(20aHQ 超高速現象・量子井戸,領域5(光物性))
- 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 24pRC-11 時間依存密度汎関数理論による半導体コヒーレントフォノン生成の振動数依存性の分析(24pRC 超高速現象,領域5(光物性))