宮原 伸一郎 | 名古屋大学 大学院工学研究科
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概要
論文 | ランダム
- High-Voltage 4H-SiC pn Diodes Fabricated by p-Type Ion Implantation
- High-Voltage 4H–SiC Schottky Barrier Diodes Fabricated on ($03\bar{3}8$) with Closed Micropipes
- Impact of SiC Structural Defects on the Degradation Phenomenon of Bipolar SiC Devices (特集 R&D--車の未来を拓く基礎技術)
- 1A1-F01 無線 LAN 環境における Linux を搭載した組込みロボットコントローラ
- Low-loss, high-voltage 6H-SiC epitaxial p-i-n diode