中村 恵美 | 川崎医科大学・生理学

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概要

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論文 | ランダム

• GaNの選択成長及び横方向成長
• GaN選択横方向成長による転位密度の低減
• Thick and Smooth Hexagonal GaN Growth on GaAs (111) Substrates at 1000℃ with Halide Vapor Phase Epitaxy
• Optical and Crystalline Properties of Epitaxial-Lateral-Overgrown-GaN Using Tungsten Mask by Hydride Vapor Phase Epitaxy
• 30p-M-10 GaAs(111)基板上へのELO-GaNのHVPE成長

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