Echkina E. | Moscow State Univ.
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概要
Moscow State Univ. | 論文
- 25aSA-7 層状半導体Sb_Sn_xTe_3(0≤x≤0.015)における強磁場磁気抵抗とホール抵抗測定
- 20aPS-15 バルク量子ホール系の示す量子ネルンスト効果(20aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 31p-ZB-4 層状半導体Bi_2Te_3の量子ホール効果
- 31a-YP-8 希薄磁性半導体Hg_Mn_xTe_Se_yの電流磁気効果
- 6p-E-11 層状半導体Bi_Sn_xTe_3のバンド端構造のトンネル分光