佐野 泰久 | 大阪大 精密科学専攻
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概要
論文 | ランダム
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 硬さ制御に基づく高表面品質、低転位GaN自立基板の実現 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価 (電子部品・材料)
- 硬さ制御に基づく高表面品質、低転位GaN自立基板の実現 (電子部品・材料)
- 極微細MOSFETにおけるソース・トレイン寄生抵抗の高次の効果 (シリコン材料・デバイス)