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川上 博 | 三重大学
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三重大学 | 論文
光関連デバイス-2 III族窒化物半導体の選択成長と発光デバイスへの応用
高Al組成AlGaNを用いた真空紫外線受光素子の作製とその特性評価(AlN結晶成長シンポジウム)
GaNのHVPE法による厚膜バルク成長 (特集 ナイトライドセラミックスの新展開(1))
第5回窒化物半導体国際会議(ICNS-5)報告
ワイドバンドギャップ半導体(1)窒化物(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
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