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矢野 良輔 | TRC
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SiC結晶のイオン注入活性化アニール過程における結晶回復と点欠陥の再配置
SiC結晶のイオン注入活性化アニール過程における結晶回復と点欠陥の再配置(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
3.各種分析法による石炭炭素構造のキャラクタリゼーション
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