橘 邦英 | 京都大学工学研究科電子工学

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概要

• 同名の論文著者
• 京都大学工学研究科電子工学の論文著者

京都大学工学研究科電子工学 | 論文

• 4H-SiC{0001}近傍面へのホモエピタキシャル成長(半導体エレクトロニクス)
• パワーデバイスに向けたSiC超接合構造の作製と特性解析
• 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

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