西村 史生 | 東理大理:CREST-JST
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概要
東理大理:CREST-JST | 論文
- 20aPS-70 ゲート電圧によるカーボンナノチューブの電気伝導制御(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-65 局在基底密度汎関数法+非平衡グリーン関数法によるカーボンナノチューブ・デバイスの電気伝導解析(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-60 空間分割密度汎関数法による二重接合系電子状態の解析(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 15aPS-5 時間依存密度汎関数法による炭素ナノ構造の光学吸収スペクトル(領域 9)
- 30aPS-76 グラファイトリボンの光学吸収スペクトルの計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))