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酒井 雄樹 | KAST
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KAST | 論文
22aK-10 III-V族希薄磁性半導体(In,Mn)Asのゼーベック効果
25aXP-2 光電子分光から見たGa_1-x Mn_xAs, In_1-xMn_xAsの相違点(25aXP 領域4,領域5合同磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
表面改質・修飾によるダイヤモンド電極の機能化
分子集合体を利用した磁性の光制御
3C01 外場応答性フォトニック結晶の作製(2004年日本液晶学会討論会)
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