川喜田 正夫 | 東京都医学総合研究所 分子医療プロジェクト

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論文 | ランダム

• UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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