津野田 修平 | 鳥大院工
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概要
鳥大院工 | 論文
- 22pGQ-9 DFT計算によるグラファイト基板表面上GaN,GaPのエピタキシャル成長の研究(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSA-23 DFT計算によるAu/Ge(111)表面構造の研究(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSA-61 DFT計算によるGe(111)表面上Auの吸着構造の研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pPSA-10 第一原理計算によるSi(111)-2×1表面ステップ構造とバイアス依存STM像(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 理論計算から見た窒化物半導体とZnOの様々な面でのエピタキシャル成長初期過程(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)