野田 祐輔 | 理研イノベ
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概要
論文 | ランダム
- 30a-ZM-6 Si MOSFETにおける正孔反転層容量の定量的評価
- 28a-YF-8 反転層容量によるMOSFETの低電圧動作限界
- 28a-YF-7 サブ0.1μmMOS Tr短チャネル効果抑制のためのバンドギャップエンジニアリング(II) : 構造最適化
- 28a-YF-6 サブ0.1μm MOS Tr短チャネル効果抑制のためのバンドギャップエンジニアリング(I) : 原理
- 29p-L-19 MFIS型メモリの膜構造と電気特性の関係(2) : レーザーアブレーション法SrBi_2Ta_2O_9膜と極薄SiNバッファ層を用いたMFIS構造のメモリ特性