山中 保明 | 農工大院・工
スポンサーリンク
概要
農工大院・工 | 論文
- Wide Band-Gap Semiconductors : Bulk and Epitaxial Growth(The 40th National Conference on Crystal Growth (NCCG-40) and the 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)/the 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE-14),Ne
- ナノ磁性体規則配列の作製と磁化状態の解析
- 15pTE-6 多価イオン衝突による GaN 表面からの二次イオン放出過程(原子 分子, 領域 1)
- 29pXN-13 低エネルギー多価イオン衝突による化合物半導体表面からの二次イオン放出過程(原子・分子)(領域1)
- 25pWD-10 エネルギー損失で選別された多価イオン : 固体表面衝突における二次イオン放出過程(25pWD 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))