Nagasawa Hiroyuki | R&D Center, HOYA Corporation, 3-3-1 Musashino, Akishima-shi, Tokyo 196, Japan

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R&D Center, HOYA Corporation, 3-3-1 Musashino, Akishima-shi, Tokyo 196, Japan | 論文

• Crystal Structure of GaN Grown on 3C-SiC Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

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