吉澤 善作 | Medico-Chemical Institute, TOhoku Imperial University

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論文 | ランダム

• GaNおよびAlGaN表面の窒素空乏と接合特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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• GaNおよびAlGaNの表面評価と絶縁ゲート構造(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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