小川 博司 | 佐賀大・理工

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概要

• 同名の論文著者
• 佐賀大・理工の論文著者

関連著者

• 小川 博司

  佐賀大・理工

• 小川 博司

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 西尾 光弘

  佐賀大・理工

• 津留 一夫

  Department Of Electrical Engineering Saga University

• 平山 賢一

  佐賀大・理工

• 太田 幸一

  ニシム電子工業

• 津留 一夫

  佐賀大・理工

• 中村 義広

  佐賀大学工学研究科

• 中村 義広

  佐賀大・理工

• 池尻 誠

  ニシム電子工業

• 中山 仁史

  佐賀大理工

• 山田 栄一

  佐賀大理工

• 池尻 誠

  佐賀大・理工

• 中山 仁史

  佐賀大・理工

• 松本 晋一

  佐賀大・理工

• 山田 栄一

  佐賀大・理工

• Yamada Eiichi

  Department Of Electrical Engineering Faculty Of Science And Engineering Saga University

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著作論文

• ZnTe Ar^+レーザ光照射MOCVD成長 : エピタキシーII
• 閉管法によるZnTeの気相成長 : 気相成長
• 27pC7 Ga溶液SiLPEに於けるGaドーピングとその理論的考察(気相成長III)
• GaP液相エピタキシャル成長の理論的解析 : エピタキシー (LPE, VPE)
• Ga溶媒からのSiのLPE成長と成長層の電気的性質 : 溶液成長
• 閉管法によるZnTeホモエピタキシャル成長
• 開管法によるZnTe気相成長 : 成長特性
• 開管法によるZnTeの気相成長 : キャリヤーガスの違いの効果
• HClを輸送媒体とした閉管法によるZnTeの気相成長
• 閉管法によるZnTeのホモエピタキシャル成長 : 気相成長
• 開管法によるZnTeの気相成長 : 成長特性と面方位依存性 : 気相成長
• 開管法によるZnTeの気相成長 : 成長条件と成長速度の関係 : II-VI化合物半導体

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