Ono Toshio | <label>¹</label>Department of Physical Science, School of Science, Osaka Prefecture University, Sakai 599-8531, Japan

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論文 | ランダム

• SiCパワーデバイスの動向と展望 (特集 「シリコンカーバイド」がやって来た--実用化に向け動き出した次世代パワーデバイス材料)
• SiCパワー半導体デバイスの進展,AWAD2006)
• SiCパワー半導体デバイスの進展
• 4H-Sic浮遊接合SBD(Super-SBD) (第19回 SIデバイスシンポジウム講演論文集)
• SiCパワー半導体デバイスの開発動向 (特集:次世代半導体デバイスとしてのSiC単結晶を用いたオプトメカトロニクス技術)

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