竹内 祥真 | 大阪市大工
スポンサーリンク
概要
大阪市大工 | 論文
- 23aPS-39 GaAsベース希薄窒化物半導体エピタキシャル層におけるテラヘルツ電磁波の極性反転(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
- 21pTG-13 GaAsに格子整合したInGaAsN/GaAs量子井戸構造のタイプ-IIポテンシャル構造の検証(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 28pVA-1 希薄窒化物混晶GaAsN薄膜における励起子-励起子散乱発光特性(28pVA 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 19aYC-6 GaAsN/GaAs単一量子井戸構造の光学特性と正孔サブバンド構造(量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 3a-X-10 (n11)面方位InGaAs/GaAs歪量子井戸の光学遷移に対する圧電効果