小野寺 次郎 | (財) 石炭技術研究所第二研究部
スポンサーリンク
概要
論文 | ランダム
- GaNおよびAlGaN表面の窒素空乏と接合特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNおよびAlGaN表面の窒素空乏と接合特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNおよびAlGaN表面の窒素空乏と接合特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNおよびAlGaNの表面評価と絶縁ゲート構造(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- GaNおよびAlGaNの表面評価と絶縁ゲート構造(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)