Kadota Yoshiaki | NTT Applied Electronics Laboratories, 3-9-11, Midori-cho, Musashino-shi, Tokyo 180

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NTT Applied Electronics Laboratories, 3-9-11, Midori-cho, Musashino-shi, Tokyo 180 | 論文

• InP Grown on Si Substrates with GaP Buffer Layers by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

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