澤木 宣彦 | 名古屋大学工学研究科電子工学専攻
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概要
名古屋大学工学研究科電子工学専攻 | 論文
- 選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製(III族窒化物研究の最前線)
- 選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製(III族窒化物研究の最前線)
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