大山 俊之 | 理化学研究所レーザー光化学グループ
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概要
論文 | ランダム
- Nb-Doped SrTiO_3-Based High-Temperature Schottky Solar Cells
- ペロブスカイト型酸化物ヘテロ接合の抵抗スイッチング・メモリ(New Materials and Processes, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 25pXD-4 Au/Nb:SrTiO_3ショットキー接合の電流電圧特性(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 遷移金属酸化物接合の電界誘起抵抗スイッチング : RRAMの動作メカニズム解明を目指して(新型不揮発性メモリ)
- Non-linear Current-Voltage Property across Σ5(210) Symmetric Tilt Boundary in Nb-Doped SrTiO_3 Bicrystal