嶋田 敏 | 東京大学 工学系研究科 精密機械工学専攻
スポンサーリンク
概要
論文 | ランダム
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性
- AlGaN UV-B Photodetectors on AlN/sapphire template