中根 勝広 | 名古屋工業大学工業化学科教室
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概要
論文 | ランダム
- 20aPS-33 Ge(111)-Sn系における相転移のLEEDによる研究(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aPS-50 Si(001),Ge(001)表面における秩序無秩序相転移の臨界現象 : LEEDによる解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 低温での電子線照射によるSi(001)-c(4×2)構造の変化
- 26pXC-2 低温で起こる電子励起による構造変化とドーパント依存性 : Si(001)-c(4×2)(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 名誉会員 西野博二博士を偲ぶ