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Lee Liang | National Nano Device Laboratory, Hsinchu, Taiwan 300, R.O.C.
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National Nano Device Laboratory, Hsinchu, Taiwan 300, R.O.C.の論文著者
National Nano Device Laboratory, Hsinchu, Taiwan 300, R.O.C. | 論文
Improvements on Electrical Characteristics of p-Channel Metal–Oxide–Semiconductor Field Effect Transistors with HfO2 Gate Stacks by Post Deposition N2O Plasma Treatment
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