馬渡 和真 | KAST

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概要

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• KASTの論文著者

KAST | 論文

• 22aK-10 III-V族希薄磁性半導体(In,Mn)Asのゼーベック効果
• 25aXP-2 光電子分光から見たGa_1-x Mn_xAs, In_1-xMn_xAsの相違点(25aXP 領域4,領域5合同磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 表面改質・修飾によるダイヤモンド電極の機能化
• 分子集合体を利用した磁性の光制御
• 3C01 外場応答性フォトニック結晶の作製(2004年日本液晶学会討論会)

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