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橋本 光一 | 日本真空技術KK
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日本真空技術KK | 論文
4a-B-3 AESによる薄膜成長機構の研究
Si(111)の7×7回折像の特徴 : X線・粒子線
LEED及びLEESによる固体表面の研究 : 表面物理, 薄膜
6p-B-18 Auger分光法によるSi_M_x(M=Au,Cu)の金属-非金属転移の観察
核融合装置の第一壁材料のスパッタリング実験
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