塚本 勝俊 | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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概要
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 | 論文
- ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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- ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)