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永木 猛弘 | ソニー中研
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ソニー中研 | 論文
海外放射光施設の動向 - マイクロビームの可能性を探る -
1p-D-8 半導体成長への応用 : (1)内殻電子励起によるGaAsの構造変化 : (2)X線波動場による薄膜成長制御
IPトラバース露光法を利用した平面波X線トポグラフの強度分布補正
31p-M3-2 レーザアニールのX線時分割測定(X線・粒子線)
13p-DD-1 硫酸アルカリ塩のNMR II
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