徳本 匠 | (株) ロッテ中央研究所開発研究部チューインガム研究室
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概要
論文 | ランダム
- 統計的解析に基づく目視検査向き色強調法
- High Channel Mobility in Inversion Layer of SiC MOSFETs for Power Switching Transistors
- Effects of wet oxidation/anneal on interface properties of thermally oxidized SiO2/SiC MOS system and MOSFET's
- Performance limiting surface defects in SiC epitaxial p-n junction diodes
- S. E. Koonin: Computational Physics, Benjamin/Cummings, California and Tokyo, 1986, xvi+410ページ, 24.5×19.5cm, 14,130円.