井上 久遠 | 北海道大学 電子科学研究所

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概要

• 同名の論文著者
• 北海道大学 電子科学研究所の論文著者

北海道大学 電子科学研究所 | 論文

• 23aK-13 AlGaN化合物半導体の真空紫外反射スペクトル
• GaN量子ドット紫外LEDの作製と光学特性
• ナノテクノロジーと深紫外発光素子の開発
• アンチサーファクタントによる GaN 層の低転位化
• 原子レベルの表面構造制御による窒化物半導体の欠陥密度の低減

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