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岡村 健志 | 高知工科大学総合研究所
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高知工科大学総合研究所 | 論文
カーボンナノチューブ量産技術開発と電界電子放出素子への応用
基板バイアスにより制御されたZnO薄膜の結晶性とドライエッチングにより形成される側壁形状との相関
選択エッチング法によるナノサイズ炭素エミッタ形成
ダイヤモンドへの内部電極の形成とそれを用いた電子放出素子 : エミッタ電極のセルフアライン加工
ダイヤモンドの高度な反応性イオンエッチング
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