小泉 清隆 | Noda Kurse

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概要

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論文 | ランダム

• Suppression of Unintentional Formation of Parasitic Si Islands on a Si Single-Electron Transistor by the Use of SiN Masked Oxidation
• Si Single-Electron Transistors on SIMOX Substrates (Special Issue on Quantum Effect Devices and Their Fabrication Technologies)
• エンドセリン研究の変遷
• 内皮由来の収縮因子
• エンドセリン研究の新しい展開 : 受容体拮抗薬の臨床応用への展望

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