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長谷 泉 | 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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関連著者
長谷 泉
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
柳澤 孝
産業技術総合研究所
著作論文
軽元素ドープしたNi_3Alの電子状態
27pEM-11 価数スキップ・引力アンダーソンモデルにおける超伝導と電荷近藤効果(27pEM 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
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