村尾 健二 | (株)日立製作所基礎研究所

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概要

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• (株)日立製作所基礎研究所の論文著者

(株)日立製作所基礎研究所 | 論文

• ゆう度付き形態素解析用の汎用アルゴリズムとそれを利用したうゆう度基準の比較
• APS会議報告
• Si表面近傍におけるボロンクラスタの安定位置とそのSTM像
• STMナノファブリケーションを用いたSi(111)表面電気伝導度の測定
• 半導体表面上の原子サイズ細線における強磁性の可能性

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