山内 庄一 | デンソー
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概要
関連著者
著作論文
- Siパワーデバイス Super Junction MOSFET 開発 : トレンチ埋込エピタキシャル成長技術による Si-Limit 突破
- トレンチ埋込エピタキシャル成長を用いた200V系スーパージャンクションMOSFET
- Influence of Trench Etching on Super Junction Devices Fabricated by Trench Filling (特集 電子デバイス)
- Electrical Properties of Super Junction p-n Diodes Fabricated by Trench Filling (特集 R&D--車の未来を拓く基礎技術)