Lee Yun | Division of Electronics and Information Technology, Korea Institute of Science and Technology, P. O. Box 131, Cheongryang, Seoul, Korea
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概要
- 同名の論文著者
- Division of Electronics and Information Technology, Korea Institute of Science and Technology, P. O. Box 131, Cheongryang, Seoul, Koreaの論文著者
論文 | ランダム
- GaN量子ドット紫外LEDの作製と光学特性
- ナノテクノロジーと深紫外発光素子の開発
- アンチサーファクタントによる GaN 層の低転位化
- 原子レベルの表面構造制御による窒化物半導体の欠陥密度の低減
- 24pSB-6 III-V窒化物半導体の真空紫外反射・吸収スペクトル