Matsuki Nobuyuki | Ceramic Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan
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概要
- 同名の論文著者
- Ceramic Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japanの論文著者
論文 | ランダム
- 23pXA-1 Fe/Si多層膜界面のSi厚の違いによる電子状態の変化(23pXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSA-14 定在波光電子分光法によるFe/Si界面の価電子帯スペクトル(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 24pJ-7 スピン交替一次元鎖(VO)_2P_2O_7高圧相のサブミリ波ESRII
- 24aYQ-10 スピン交替一次元鎖(VO)_2P_2O_7高圧相のサブミリ波ESR
- 28a-H-11 磁場中配向試料Tb_2Cu_2O_5のサブミリ波ESR