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新家 昭彦 | 日本電信電話 (株) NTT物性科学基礎研究所
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7a-PS-8 飛行時間型イオン散乱法によるSi(001)上でのSi固相成長の観察
Si(001)におけるGeデルタドープ層の挙動 -TOF-LEISによる観察-
飛行時間型イオン散乱法によるSi(001)上でのSi固相成長の観察
28p-PSB-15 低速イオン散乱におけるセルフブロッキング効果の検討
29p-P-7 非同軸型低速イオン散乱による化合物表面の解析
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