妹尾 学 | 東京大学工学部・生産技術研究所第4部

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論文 | ランダム

• Rare earth oxide capping effect on La2O3 gate dielectrics for equivalent oxide thickness scaling toward 0.5nm (Special issue: Dielectric thin films for future electron devices: science and technology)
• 分析化学--フェルミウムの化学 (1980年の化学-4-)
• 放射化学--アインスタイニウムの化学 (1978年の化学-5-)
• 放射化学--超アクチニド元素の化学 (1977年の化学-12完-)
• 放射化学--最も高い酸化状態にあるネプツニウム,プルトニウムおよびアメリシウムの化学 (1976年の化学-12完-)

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